1. 掩膜材料：在半導體制造過程中，需要使用掩膜來進行光影刻蝕，以定義芯片上的電路結構。由于掩膜需要承受高溫的熱處理，以及較長時間的紫外光照射，因此鎢、鉬等難熔材料常被用作掩膜材料，因為它們具有較高的熔點和良好的熱穩定性。

2. 電子互連材料：鎢、鉬等難熔材料也廣泛用于半導體器件的電子互連結構中，如金屬線、電極等。這些材料具有較低的電阻率和良好的熱穩定性，在需求高電流密度和高溫環境下表現出色。

3. 輸運極材料：在一些功率半導體器件中，如功率MOSFET和IGBT，需要使用具有較高熱導率和較低電阻率的輸運極材料。鎢、鉬等難熔材料由于其出色的熱傳導性能和電導性能，被廣泛應用于這些器件中。

4. 熱障材料：隨著半導體器件尺寸的不斷縮小，集成電路的熱管理變得尤為重要。鎢、鉬等難熔材料被用作熱障材料，可以極大地降低局部熱傳導，提高芯片的熱工性能。

總之，鎢、鉬等難熔材料由于其優異的熱穩定性、電導性能和熱傳導性能，在半導體領域中被廣泛應用于掩膜材料、電子互連材料、輸運極材料和熱障材料等關鍵應用中。這些材料的應用有助于提高半導體器件的性能和可靠性。